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SPM6550T-R47M

SPM6550T-R47M

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 470NH 20.1A 2.9 MOHM

Technische Daten

Induktivität
470 nH
Nennstrom
20.1 A
DC-Widerstand (DCR)
2.9mOhm Max
Abmessungen
0.280" L x 0.256" W (7.10mm x 6.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SPM6550T-R47M.

Induktivität
470 nH

SPM6550T-R47M hat eine Induktivität von 470 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
20.1 A

SPM6550T-R47M ist für 20.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.9mOhm Max

SPM6550T-R47M hat einen DC-Widerstand von 2.9mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

SPM6550T-R47M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität470 nH
Toleranz±20%
Nennstrom20.1 A
DC-Widerstand (DCR)2.9mOhm Max
Sättigungsstrom20.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.280" L x 0.256" W (7.10mm x 6.50mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 470NH 20.1A 2.9 MOHM
SerieSPM
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.197" (5.00mm)
Merkmale-

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