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SRN2010BTA-6R8M

SRN2010BTA-6R8M

Bourns Inc.

0806 (2016 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SRN2010BTA-6R8M von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 6.8 µH, Nennstrom 900 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 576mOhm Max, Gehäusegröße 0806 (2016 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
6.8 µH
Nennstrom
900 mA
DC-Widerstand (DCR)
576mOhm Max
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRN2010BTA-6R8M.

Induktivität
6.8 µH

SRN2010BTA-6R8M hat eine Induktivität von 6.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
900 mA

SRN2010BTA-6R8M ist für 900 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
576mOhm Max

SRN2010BTA-6R8M hat einen DC-Widerstand von 576mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

SRN2010BTA-6R8M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität6.8 µH
Toleranz±20%
Nennstrom900 mA
DC-Widerstand (DCR)576mOhm Max
Sättigungsstrom800mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 6.8UH 900MA 576 MOHM
SerieSRN2010BTA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz10 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz37MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2010
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)

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