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SRN2010TA-100M

SRN2010TA-100M

Bourns Inc.

0806 (2016 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 10UH 450MA 720 MOHM

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
450 mA
DC-Widerstand (DCR)
720mOhm
Abmessungen
0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRN2010TA-100M.

Induktivität
10 µH

SRN2010TA-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
450 mA

SRN2010TA-100M ist für 450 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
720mOhm

SRN2010TA-100M hat einen DC-Widerstand von 720mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0806 (2016 Metric)

SRN2010TA-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0806 (2016 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom450 mA
DC-Widerstand (DCR)720mOhm
Sättigungsstrom550mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm)
Gehäuse / Größe0806 (2016 Metric)
Gehäuse / Ausführung0806 (2016 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 10UH 450MA 720 MOHM
SerieSRN2010TA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz16 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz43MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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