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SRN2510BTA-1R0M

SRN2510BTA-1R0M

Bourns Inc.

1008 (2520 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SRN2510BTA-1R0M von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 2.6 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 72mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
2.6 A
DC-Widerstand (DCR)
72mOhm Max
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRN2510BTA-1R0M.

Induktivität
1 µH

SRN2510BTA-1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
2.6 A

SRN2510BTA-1R0M ist für 2.6 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
72mOhm Max

SRN2510BTA-1R0M hat einen DC-Widerstand von 72mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

SRN2510BTA-1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 6.5.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom2.6 A
DC-Widerstand (DCR)72mOhm Max
Sättigungsstrom2.5A
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantBourns Inc.
BeschreibungFIXED IND 1UH 2.6A 72 MOHM SMD
SerieSRN2510BTA
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz15 @ 1MHz
Eigenresonanzfrequenz110MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse2510
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)

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