SRP5030HMCT-100M

SRP5030HMCT-100M

Bourns Inc.

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SRP5030HMCT-100M von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 5 A Typ, Gleichstromwiderstand (DCR) 78 mOhm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
5 A Typ
DC-Widerstand (DCR)
78 mOhm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRP5030HMCT-100M.

Induktivität
10 µH

SRP5030HMCT-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
5 A Typ

SRP5030HMCT-100M ist für 5 A Typ ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
78 mOhm Max

SRP5030HMCT-100M hat einen DC-Widerstand von 78 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom5 A Typ
DC-Widerstand (DCR)78 mOhm Max
Sättigungsstrom6.8 A Typ
LieferantBourns Inc.
BeschreibungIND 10UH 20% 5A SHLD
ProduktstatusActive

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