Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SRP5030HMCT-8R2M von Bourns Inc.. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 8.2 µH, Nennstrom 5.8 A Typ, Gleichstromwiderstand (DCR) 62.4 mOhm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SRP5030HMCT-8R2M.
SRP5030HMCT-8R2M hat eine Induktivität von 8.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SRP5030HMCT-8R2M ist für 5.8 A Typ ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SRP5030HMCT-8R2M hat einen DC-Widerstand von 62.4 mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 8.2 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 5.8 A Typ |
| DC-Widerstand (DCR) | 62.4 mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 7.3 A Typ |
| Lieferant | Bourns Inc. |
| Beschreibung | IND 8.2UH 20% 5.8A SHLD |
| Produktstatus | Active |
