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SWF 2012RIF-1R0M

SWF 2012RIF-1R0M

TAI-TECH

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SWF 2012RIF-1R0M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 1.3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.5Ohm, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
1.3 A
DC-Widerstand (DCR)
1.5Ohm
Abmessungen
0.087" L x 0.055" W (2.20mm x 1.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SWF 2012RIF-1R0M.

Induktivität
1 µH

SWF 2012RIF-1R0M hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.3 A

SWF 2012RIF-1R0M ist für 1.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.5Ohm

SWF 2012RIF-1R0M hat einen DC-Widerstand von 1.5Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

SWF 2012RIF-1R0M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 21.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.3 A
DC-Widerstand (DCR)1.5Ohm
Sättigungsstrom1.1A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.087" L x 0.055" W (2.20mm x 1.40mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantTAI-TECH
BeschreibungFIXED IND 1UH 1.3A 1.5 OHM SMD
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz14 @ 7.9MHz
Eigenresonanzfrequenz208MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.9 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.055" (1.40mm)

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