SWF 2012RIF-220M

SWF 2012RIF-220M

TAI-TECH

0805 (2012 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SWF 2012RIF-220M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 22 µH, Nennstrom 340 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.76Ohm, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
340 mA
DC-Widerstand (DCR)
1.76Ohm
Abmessungen
0.087" L x 0.055" W (2.20mm x 1.40mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SWF 2012RIF-220M.

Induktivität
22 µH

SWF 2012RIF-220M hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
340 mA

SWF 2012RIF-220M ist für 340 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1.76Ohm

SWF 2012RIF-220M hat einen DC-Widerstand von 1.76Ohm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0805 (2012 Metric)

SWF 2012RIF-220M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 21.6.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±20%
Nennstrom340 mA
DC-Widerstand (DCR)1.76Ohm
Sättigungsstrom240mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.087" L x 0.055" W (2.20mm x 1.40mm)
Gehäuse / Größe0805 (2012 Metric)
Gehäuse / Ausführung0805 (2012 Metric)
LieferantTAI-TECH
BeschreibungFIXED IND 22UH 340MA 1.76 OHM
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz15 @ 2.5MHz
Eigenresonanzfrequenz20MHz
Induktivitäts-Testfrequenz2.5 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0805
Höhe - sitzend (max.)0.055" (1.40mm)

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