Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil SWF 2012RIF-3R3M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 300mOhm, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für SWF 2012RIF-3R3M.
SWF 2012RIF-3R3M hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
SWF 2012RIF-3R3M ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
SWF 2012RIF-3R3M hat einen DC-Widerstand von 300mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
SWF 2012RIF-3R3M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von SWF 2012RIF-3R3M weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 800 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 300mOhm |
| Sättigungsstrom | 620mA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.087" L x 0.055" W (2.20mm x 1.40mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 800MA 300 MOHM |
| Serie | SWF2012RIF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 12 @ 7.9MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 70MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 7.9 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.055" (1.40mm) |
