Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TFM252012ALMA3R3MTAA von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 140mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TFM252012ALMA3R3MTAA.
TFM252012ALMA3R3MTAA hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
TFM252012ALMA3R3MTAA ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
TFM252012ALMA3R3MTAA hat einen DC-Widerstand von 140mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
TFM252012ALMA3R3MTAA verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 140mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.1A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 2A 140 MOHM SMD |
| Serie | TFM-ALMA |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Thin Film |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 (2520 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
