Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TFM322512ALMA3R3MTAA von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 2.3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 113mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TFM322512ALMA3R3MTAA.
TFM322512ALMA3R3MTAA hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
TFM322512ALMA3R3MTAA ist für 2.3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
TFM322512ALMA3R3MTAA hat einen DC-Widerstand von 113mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
TFM322512ALMA3R3MTAA verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3.3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 113mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2.5A |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
| Abmessungen | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| Gehäuse / Größe | 1210 (3225 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1210 (3225 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 3.3UH 2.3A 113 MOHM |
| Serie | TFM-ALMA |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Thin Film |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Shielded |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1210 (3225 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
