Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TMIM0503S-1R8MG-D02 von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1.8 µH, Nennstrom 11.5 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 10.3mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TMIM0503S-1R8MG-D02.
TMIM0503S-1R8MG-D02 hat eine Induktivität von 1.8 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
TMIM0503S-1R8MG-D02 ist für 11.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
TMIM0503S-1R8MG-D02 hat einen DC-Widerstand von 10.3mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
TMIM0503S-1R8MG-D02 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1.8 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 11.5 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 10.3mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 13A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.217" L x 0.209" W (5.50mm x 5.30mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 1.8UH 11.5A 10.3 MOHM |
| Serie | TMIM0503S |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.118" (3.00mm) |
