Meine Favoriten
TMIM252012HL-R10MB

TMIM252012HL-R10MB

TAI-TECH

1008 (2520 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TMIM252012HL-R10MB von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 100 nH, Nennstrom 8 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 7mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
100 nH
Nennstrom
8 A
DC-Widerstand (DCR)
7mOhm Max
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TMIM252012HL-R10MB.

Induktivität
100 nH

TMIM252012HL-R10MB hat eine Induktivität von 100 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
8 A

TMIM252012HL-R10MB ist für 8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
7mOhm Max

TMIM252012HL-R10MB hat einen DC-Widerstand von 7mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

TMIM252012HL-R10MB verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von TMIM252012HL-R10MB weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 21.6.2026
Induktivität100 nH
Toleranz±20%
Nennstrom8 A
DC-Widerstand (DCR)7mOhm Max
Sättigungsstrom10A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantTAI-TECH
BeschreibungFIXED IND 100NH 8A 7 MOHM SMD
SerieTMIM252012HL-B
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
AbschirmungUnshielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)

Vorschau

PDF öffnen