Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TMS201210ALM-R56MTAA von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 nH, Nennstrom 2.8 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 49mOhm Max, Gehäusegröße 0805 (2012 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TMS201210ALM-R56MTAA.
TMS201210ALM-R56MTAA hat eine Induktivität von 560 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
TMS201210ALM-R56MTAA ist für 2.8 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
TMS201210ALM-R56MTAA hat einen DC-Widerstand von 49mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
TMS201210ALM-R56MTAA verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0805 (2012 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 560 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 2.8 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 49mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 3A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Gehäuse / Größe | 0805 (2012 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 0805 (2012 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 560NH 2.8A 49 MOHM SMD |
| Serie | TMS-ALM |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Thin Film |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 0805 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
