Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TMS252012ALM-R33MTAA von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 330 nH, Nennstrom 5.7 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 18mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TMS252012ALM-R33MTAA.
TMS252012ALM-R33MTAA hat eine Induktivität von 330 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
TMS252012ALM-R33MTAA ist für 5.7 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
TMS252012ALM-R33MTAA hat einen DC-Widerstand von 18mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
TMS252012ALM-R33MTAA verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 330 nH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 5.7 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 18mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 7A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 330NH 5.7A 18 MOHM SMD |
| Serie | TMS-ALM |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Thin Film |
| Kernmaterial | Metal |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.047" (1.20mm) |
