Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil TPI9664A0L120N von KEMET. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 58 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.185mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für TPI9664A0L120N.
TPI9664A0L120N hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
TPI9664A0L120N ist für 58 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
TPI9664A0L120N hat einen DC-Widerstand von 0.185mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
TPI9664A0L120N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 120 nH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 58 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.185mOhm |
| Sättigungsstrom | 99A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.378" L x 0.252" W (9.60mm x 6.40mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | KEMET |
| Beschreibung | FIXED IND 120NH 58A 0.185 MOHM |
| Serie | TPI |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.394" (10.00mm) |
