Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil VLBU805080T-R12L von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 65 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.2mOhm, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für VLBU805080T-R12L.
VLBU805080T-R12L hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
VLBU805080T-R12L ist für 65 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
VLBU805080T-R12L hat einen DC-Widerstand von 0.2mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
VLBU805080T-R12L verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 120 nH |
| Toleranz | ±15% |
| Nennstrom | 65 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 0.2mOhm |
| Sättigungsstrom | 61A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.315" L x 0.197" W (8.00mm x 5.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 120NH 65A 0.2 MOHM SMD |
| Serie | VLBU |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.315" (8.00mm) |
