Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil VLP5610T-2R7M1R0 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.7 µH, Nennstrom 1.05 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 170mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für VLP5610T-2R7M1R0.
VLP5610T-2R7M1R0 hat eine Induktivität von 2.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
VLP5610T-2R7M1R0 ist für 1.05 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
VLP5610T-2R7M1R0 hat einen DC-Widerstand von 170mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
VLP5610T-2R7M1R0 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 2.7 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 1.05 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 170mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 1.26A |
| Abmessungen | 0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 2.7UH 1.05A 170 MOHM |
| Serie | VLP |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 100 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
