Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil VLS2010ET-R56N von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 560 nH, Nennstrom 2 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 60mOhm Max, Gehäusegröße Nonstandard. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für VLS2010ET-R56N.
VLS2010ET-R56N hat eine Induktivität von 560 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
VLS2010ET-R56N ist für 2 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
VLS2010ET-R56N hat einen DC-Widerstand von 60mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
VLS2010ET-R56N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 560 nH |
| Toleranz | ±30% |
| Nennstrom | 2 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 60mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 2A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
| Abmessungen | 0.079" L x 0.079" W (2.00mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Nonstandard |
| Gehäuse / Ausführung | Nonstandard |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 560NH 2A 60 MOHM SMD |
| Serie | VLS |
| Produktstatus | Not For New Designs |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Shielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
