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VLS252010ET-3R3M

VLS252010ET-3R3M

TDK

1008 (2520 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil VLS252010ET-3R3M von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3.3 µH, Nennstrom 940 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 275mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
940 mA
DC-Widerstand (DCR)
275mOhm Max
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für VLS252010ET-3R3M.

Induktivität
3.3 µH

VLS252010ET-3R3M hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
940 mA

VLS252010ET-3R3M ist für 940 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
275mOhm Max

VLS252010ET-3R3M hat einen DC-Widerstand von 275mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

VLS252010ET-3R3M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom940 mA
DC-Widerstand (DCR)275mOhm Max
Sättigungsstrom940mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 940MA 275 MOHM
SerieVLS
ProduktstatusNot For New Designs
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008 (2520 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)

Vorschau

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