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VLS252012HBX-R47M-1

VLS252012HBX-R47M-1

TDK

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 470NH 4.5A 35 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
470 nH
Nennstrom
4.5 A
DC-Widerstand (DCR)
35mOhm Max
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für VLS252012HBX-R47M-1.

Induktivität
470 nH

VLS252012HBX-R47M-1 hat eine Induktivität von 470 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
4.5 A

VLS252012HBX-R47M-1 ist für 4.5 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
35mOhm Max

VLS252012HBX-R47M-1 hat einen DC-Widerstand von 35mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

VLS252012HBX-R47M-1 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität470 nH
Toleranz±20%
Nennstrom4.5 A
DC-Widerstand (DCR)35mOhm Max
Sättigungsstrom4A
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 470NH 4.5A 35 MOHM SMD
SerieVLS-HBX-1
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008 (2520 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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