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VLS3012HBX-2R2M

VLS3012HBX-2R2M

TDK

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 2.2UH 3.15A 106 MOHM

Technische Daten

Induktivität
2.2 µH
Nennstrom
3.15 A
DC-Widerstand (DCR)
106mOhm Max
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für VLS3012HBX-2R2M.

Induktivität
2.2 µH

VLS3012HBX-2R2M hat eine Induktivität von 2.2 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.15 A

VLS3012HBX-2R2M ist für 3.15 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
106mOhm Max

VLS3012HBX-2R2M hat einen DC-Widerstand von 106mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

VLS3012HBX-2R2M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität2.2 µH
Toleranz±20%
Nennstrom3.15 A
DC-Widerstand (DCR)106mOhm Max
Sättigungsstrom3.35A
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 2.2UH 3.15A 106 MOHM
SerieVLS-HBX
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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