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VLS3012HBX-R33N

VLS3012HBX-R33N

TDK

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 330NH 6.78A 30 MOHM

Technische Daten

Induktivität
330 nH
Nennstrom
6.78 A
DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max
Abmessungen
0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für VLS3012HBX-R33N.

Induktivität
330 nH

VLS3012HBX-R33N hat eine Induktivität von 330 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
6.78 A

VLS3012HBX-R33N ist für 6.78 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
30mOhm Max

VLS3012HBX-R33N hat einen DC-Widerstand von 30mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

VLS3012HBX-R33N verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität330 nH
Toleranz±30%
Nennstrom6.78 A
DC-Widerstand (DCR)30mOhm Max
Sättigungsstrom9.11A
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 330NH 6.78A 30 MOHM
SerieVLS-HBX
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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