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VLS4012HBX-3R3M

VLS4012HBX-3R3M

TDK

Nonstandard
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Beschreibung

FIXED IND 3.3UH 3.33A 119 MOHM

Technische Daten

Induktivität
3.3 µH
Nennstrom
3.33 A
DC-Widerstand (DCR)
119mOhm Max
Abmessungen
0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für VLS4012HBX-3R3M.

Induktivität
3.3 µH

VLS4012HBX-3R3M hat eine Induktivität von 3.3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
3.33 A

VLS4012HBX-3R3M ist für 3.33 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
119mOhm Max

VLS4012HBX-3R3M hat einen DC-Widerstand von 119mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Nonstandard

VLS4012HBX-3R3M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Nonstandard. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 19.6.2026
Induktivität3.3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom3.33 A
DC-Widerstand (DCR)119mOhm Max
Sättigungsstrom4.18A
Betriebstemperatur-40°C ~ 105°C
Abmessungen0.157" L x 0.157" W (4.00mm x 4.00mm)
Gehäuse / GrößeNonstandard
Gehäuse / AusführungNonstandard
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 3.3UH 3.33A 119 MOHM
SerieVLS-HBX
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialMetal
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.047" (1.20mm)
Merkmale-

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