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WCL2520-R120-R

WCL2520-R120-R

Eaton - Electronics Division

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil WCL2520-R120-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 120 nH, Nennstrom 800 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 150mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
120 nH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
150mOhm Max
Abmessungen
0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für WCL2520-R120-R.

Induktivität
120 nH

WCL2520-R120-R hat eine Induktivität von 120 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

WCL2520-R120-R ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
150mOhm Max

WCL2520-R120-R hat einen DC-Widerstand von 150mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

WCL2520-R120-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität120 nH
Toleranz±5%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)150mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.115" L x 0.110" W (2.92mm x 2.79mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantWEC,Eaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 120NH 800MA 150 MOHM
SerieWCL2520
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz12 @ 25.2MHz
Eigenresonanzfrequenz850MHz
Induktivitäts-Testfrequenz25.2 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.083" (2.10mm)

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