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WCL3225-1R0-R

WCL3225-1R0-R

Eaton - Electronics Division

1210 (3225 Metric)
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil WCL3225-1R0-R von Eaton - Electronics Division. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 450 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 300mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
450 mA
DC-Widerstand (DCR)
300mOhm Max
Abmessungen
0.138" L x 0.114" W (3.50mm x 2.90mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für WCL3225-1R0-R.

Induktivität
1 µH

WCL3225-1R0-R hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
450 mA

WCL3225-1R0-R ist für 450 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
300mOhm Max

WCL3225-1R0-R hat einen DC-Widerstand von 300mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

WCL3225-1R0-R verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±5%
Nennstrom450 mA
DC-Widerstand (DCR)300mOhm Max
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
Abmessungen0.138" L x 0.114" W (3.50mm x 2.90mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantEaton - Electronics Division
BeschreibungFIXED IND 1UH 450MA 300 MOHM SMD
SerieWCL3225
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz12 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz320MHz
Induktivitäts-Testfrequenz7.96 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.089" (2.25mm)

Vorschau