Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil WNL252018RF-100M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 155 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 360mOhm, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für WNL252018RF-100M.
WNL252018RF-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
WNL252018RF-100M ist für 155 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
WNL252018RF-100M hat einen DC-Widerstand von 360mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
WNL252018RF-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 155 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 360mOhm |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.102" L x 0.079" W (2.60mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | TAI-TECH |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 155MA 360 MOHM |
| Serie | WNL252018RF |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.52 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.079" (2.00mm) |
