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WPN252010HS4R7MT

WPN252010HS4R7MT

Sunlord

1008 (2520 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 4.7UH 1.1A 276 MOHM

Technische Daten

Induktivität
4.7 µH
Nennstrom
1.1 A
DC-Widerstand (DCR)
276mOhm Max
Abmessungen
0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für WPN252010HS4R7MT.

Induktivität
4.7 µH

WPN252010HS4R7MT hat eine Induktivität von 4.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.1 A

WPN252010HS4R7MT ist für 1.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
276mOhm Max

WPN252010HS4R7MT hat einen DC-Widerstand von 276mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1008 (2520 Metric)

WPN252010HS4R7MT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 15.6.2026
Induktivität4.7 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.1 A
DC-Widerstand (DCR)276mOhm Max
Sättigungsstrom1.5A
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
Abmessungen0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
Gehäuse / Größe1008 (2520 Metric)
Gehäuse / Ausführung1008 (2520 Metric)
LieferantSunlord
BeschreibungFIXED IND 4.7UH 1.1A 276 MOHM
SerieWPN
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungShielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz19MHz
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1008
Höhe - sitzend (max.)0.039" (1.00mm)
Merkmale-

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