Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil WPN252010U1R0MT von Sunlord. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 1 µH, Nennstrom 3.1 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 50mOhm Max, Gehäusegröße 1008 (2520 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für WPN252010U1R0MT.
WPN252010U1R0MT hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
WPN252010U1R0MT ist für 3.1 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
WPN252010U1R0MT hat einen DC-Widerstand von 50mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
WPN252010U1R0MT verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1008 (2520 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 1 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 3.1 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 50mOhm Max |
| Sättigungsstrom | 4.6A |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 1008 (2520 Metric) |
| Gehäuse / Ausführung | 1008 (2520 Metric) |
| Lieferant | Sunlord |
| Beschreibung | FIXED IND 1UH 3.1A 50 MOHM SMD |
| Serie | WPN |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Shielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 54MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1008 |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
