Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil 19M913J von Gowanda. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 910 µH, Nennstrom 79 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 15.8Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für 19M913J.
19M913J hat eine Induktivität von 910 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
19M913J ist für 79 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
19M913J hat einen DC-Widerstand von 15.8Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
19M913J verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
Weitere Datasheet-Pfade erkunden
Gehen Sie von 19M913J weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 910 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 79 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 15.8Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Gowanda |
| Beschreibung | FIXED IND 910UH 79MA 15.8 OHM TH |
| Serie | 19M |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Molded |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 60 @ 790kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 2.9MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 790 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | 0.190" Dia x 0.440" L (4.83mm x 11.18mm) |
| Höhe - sitzend (max.) | Axial |
