Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil CTH7F-821K von Central Technologies. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 820 µH, Nennstrom 200 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2Ohm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTH7F-821K.
CTH7F-821K hat eine Induktivität von 820 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
CTH7F-821K ist für 200 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
CTH7F-821K hat einen DC-Widerstand von 2Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
CTH7F-821K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 820 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 200 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2Ohm Max |
| Sättigungsstrom | 440mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.290 Dia x 0.602 L (7.37mm x 15.30mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | Central Technologies |
| Beschreibung | FIXED IND 820UH 200MA 2 OHM TH |
| Serie | CTH7F |
| Produktstatus | Active |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 1MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 kHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
