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APO 322530NV-100M

APO 322530NV-100M

TAI-TECH

1210 (3225 Metric)
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil APO 322530NV-100M von TAI-TECH. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 µH, Nennstrom 1.13 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 340mOhm Max, Gehäusegröße 1210 (3225 Metric). Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
10 µH
Nennstrom
1.13 A
DC-Widerstand (DCR)
340mOhm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für APO 322530NV-100M.

Induktivität
10 µH

APO 322530NV-100M hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
1.13 A

APO 322530NV-100M ist für 1.13 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
340mOhm Max

APO 322530NV-100M hat einen DC-Widerstand von 340mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
1210 (3225 Metric)

APO 322530NV-100M verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 1210 (3225 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 21.6.2026
Induktivität10 µH
Toleranz±20%
Nennstrom1.13 A
DC-Widerstand (DCR)340mOhm Max
Sättigungsstrom1.1A
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe1210 (3225 Metric)
Gehäuse / Ausführung1210 (3225 Metric)
LieferantTAI-TECH
BeschreibungFIXED IND 10UH 1.13A 340 MOHM
SerieAPO322530NV
ProduktstatusActive
Typ / AufbauWirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Eigenresonanzfrequenz95MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210
Höhe - sitzend (max.)0.126" (3.20mm)

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