Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B78108S1123K009 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12 µH, Nennstrom 650 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 550mOhm Max, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B78108S1123K009.
B78108S1123K009 hat eine Induktivität von 12 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B78108S1123K009 ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B78108S1123K009 hat einen DC-Widerstand von 550mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B78108S1123K009 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Alternative Lösungen
Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.
Produkteigenschaften
| Induktivität | 12 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 650 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 550mOhm Max |
| Abmessungen | 0.157" Dia x 0.362" L (4.00mm x 9.20mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 12UH 650MA 550 MOHM TH |
| Serie | BC |
| Produktstatus | Last Time Buy |
| Typ / Aufbau | Wirewound |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 70 @ 2.52MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 30GHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.52 MHz |
| Montageart | Through Hole |
