LogoMagdir
B82111B0000C016

B82111B0000C016

TDK

Axial
PDF

Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82111B0000C016 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3 µH, Nennstrom 9 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 6mOhm, Gehäusegröße Axial. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
3 µH
Nennstrom
9 A
DC-Widerstand (DCR)
6mOhm
Abmessungen
0.295" Dia x 0.965" L (7.50mm x 24.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82111B0000C016.

Induktivität
3 µH

B82111B0000C016 hat eine Induktivität von 3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
9 A

B82111B0000C016 ist für 9 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
6mOhm

B82111B0000C016 hat einen DC-Widerstand von 6mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
Axial

B82111B0000C016 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

Schnellwerkzeuge

Verwenden Sie diese Rechner für Ihr Induktivitätsdesign

Weitere Datasheet-Pfade erkunden

Gehen Sie von B82111B0000C016 weiter zu Hersteller, Serie und breiteren Datasheet-Sammlungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität3 µH
Toleranz±20%
Nennstrom9 A
DC-Widerstand (DCR)6mOhm
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.295" Dia x 0.965" L (7.50mm x 24.50mm)
Gehäuse / GrößeAxial
Gehäuse / AusführungAxial
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 3UH 9A 6 MOHM TH
SerieB82111B
ProduktstatusObsolete
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Eigenresonanzfrequenz220MHz
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartThrough Hole

Vorschau