B82132A5302MV1
TDK
Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82132A5302MV1 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 3 µH, Nennstrom 3 A, Gleichstromwiderstand (DCR) 35mOhm, Gehäusegröße Axial. Prüfen Sie die verfügbaren Spezifikationen und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82132A5302MV1.
B82132A5302MV1 hat eine Induktivität von 3 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82132A5302MV1 ist für 3 A ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82132A5302MV1 hat einen DC-Widerstand von 35mOhm. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B82132A5302MV1 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von Axial. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 3 µH |
| Toleranz | ±20% |
| Nennstrom | 3 A |
| DC-Widerstand (DCR) | 35mOhm |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Abmessungen | 0.217" Dia x 0.787" L (5.50mm x 20.00mm) |
| Gehäuse / Größe | Axial |
| Gehäuse / Ausführung | Axial |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 3UH 3A 35 MOHM TH |
| Serie | B82132 |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Iron |
| Abschirmung | Unshielded |
| Eigenresonanzfrequenz | 151MHz |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 1 MHz |
| Montageart | Through Hole |
| Hersteller-Gehäuse | Axial |
