Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422A1123K108 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 12 µH, Nennstrom 175 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1.65 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422A1123K108.
B82422A1123K108 hat eine Induktivität von 12 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82422A1123K108 ist für 175 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82422A1123K108 hat einen DC-Widerstand von 1.65 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 12 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 175 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 1.65 Ohm Max |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | SMT-INDUCTOR DE 12 U |
| Serie | * |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 27 Min @ 2.52 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 23 MHz Min |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 0.1 MHz |
