Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422A1183J108 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 18 µH, Nennstrom 155 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422A1183J108.
B82422A1183J108 hat eine Induktivität von 18 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82422A1183J108 ist für 155 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82422A1183J108 hat einen DC-Widerstand von 2 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 18 µH |
| Toleranz | ±5% |
| Nennstrom | 155 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 2 Ohm Max |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | SMT-INDUCTOR DE 18 U |
| Serie | * |
| Produktstatus | Active |
| Q bei Frequenz | 27 Min @ 2.52 MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 17 MHz Min |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 0.1 MHz |
