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B82422A1183K108

B82422A1183K108

TDK

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422A1183K108 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 18 µH, Nennstrom 155 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 2 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
18 µH
Nennstrom
155 mA
DC-Widerstand (DCR)
2 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422A1183K108.

Induktivität
18 µH

B82422A1183K108 hat eine Induktivität von 18 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
155 mA

B82422A1183K108 ist für 155 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2 Ohm Max

B82422A1183K108 hat einen DC-Widerstand von 2 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität18 µH
Toleranz±10%
Nennstrom155 mA
DC-Widerstand (DCR)2 Ohm Max
LieferantTDK
BeschreibungSMT-INDUCTOR DE 18 U
Serie*
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz27 Min @ 2.52 MHz
Eigenresonanzfrequenz17 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz0.1 MHz

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