B82422A1272K108

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TDK

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422A1272K108 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 2.7 µH, Nennstrom 240 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 0.88 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
2.7 µH
Nennstrom
240 mA
DC-Widerstand (DCR)
0.88 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422A1272K108.

Induktivität
2.7 µH

B82422A1272K108 hat eine Induktivität von 2.7 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
240 mA

B82422A1272K108 ist für 240 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
0.88 Ohm Max

B82422A1272K108 hat einen DC-Widerstand von 0.88 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität2.7 µH
Toleranz±10%
Nennstrom240 mA
DC-Widerstand (DCR)0.88 Ohm Max
LieferantTDK
BeschreibungSMT-INDUCTOR DE 2,7 U
Serie*
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz25 Min @ 7.96 MHz
Eigenresonanzfrequenz110 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz

Vorschau