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B82422H1223K008

B82422H1223K008

TDK

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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82422H1223K008 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 22 µH, Nennstrom 340 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 1 Ohm Max. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
22 µH
Nennstrom
340 mA
DC-Widerstand (DCR)
1 Ohm Max

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422H1223K008.

Induktivität
22 µH

B82422H1223K008 hat eine Induktivität von 22 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
340 mA

B82422H1223K008 ist für 340 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
1 Ohm Max

B82422H1223K008 hat einen DC-Widerstand von 1 Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 8.10.2026
Induktivität22 µH
Toleranz±10%
Nennstrom340 mA
DC-Widerstand (DCR)1 Ohm Max
Sättigungsstrom390 mA Min
LieferantTDK
BeschreibungSMT-INDUCTOR DE-H 22 UH 10
Serie*
ProduktstatusActive
Q bei Frequenz12 Min @ 2.52 MHz
Eigenresonanzfrequenz21 MHz Min
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz

Vorschau

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