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B82422H1224J000

B82422H1224J000

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 220UH 100MA 10.9 OHM

Technische Daten

Induktivität
220 µH
Nennstrom
100 mA
DC-Widerstand (DCR)
10.9Ohm Max
Abmessungen
0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82422H1224J000.

Induktivität
220 µH

B82422H1224J000 hat eine Induktivität von 220 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
100 mA

B82422H1224J000 ist für 100 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
10.9Ohm Max

B82422H1224J000 hat einen DC-Widerstand von 10.9Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

B82422H1224J000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität220 µH
Toleranz±5%
Nennstrom100 mA
DC-Widerstand (DCR)10.9Ohm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
Abmessungen0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 220UH 100MA 10.9 OHM
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 796kHz
Eigenresonanzfrequenz5.5MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz796 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1210 (3225 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.094" (2.40mm)
Merkmale-

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