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CTP1330F-224K

CTP1330F-224K

Central Technologies

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 220UH 223MA 2.648 OHM

Technische Daten

Induktivität
220 µH
Nennstrom
223 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.648Ohm Max
Abmessungen
0.311 L x 0.128 W (7.90mm x 3.25mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTP1330F-224K.

Induktivität
220 µH

CTP1330F-224K hat eine Induktivität von 220 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
223 mA

CTP1330F-224K ist für 223 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.648Ohm Max

CTP1330F-224K hat einen DC-Widerstand von 2.648Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

CTP1330F-224K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität220 µH
Toleranz±10%
Nennstrom223 mA
DC-Widerstand (DCR)2.648Ohm Max
Sättigungsstrom72mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.311 L x 0.128 W (7.90mm x 3.25mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 220UH 223MA 2.648 OHM
SerieCTP1330F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.142 (3.60mm)
Merkmale-

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