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B82432C1102K000

B82432C1102K000

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 1UH 600MA 280 MOHM SMD

Technische Daten

Induktivität
1 µH
Nennstrom
600 mA
DC-Widerstand (DCR)
280mOhm Max
Abmessungen
0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82432C1102K000.

Induktivität
1 µH

B82432C1102K000 hat eine Induktivität von 1 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
600 mA

B82432C1102K000 ist für 600 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
280mOhm Max

B82432C1102K000 hat einen DC-Widerstand von 280mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

B82432C1102K000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität1 µH
Toleranz±10%
Nennstrom600 mA
DC-Widerstand (DCR)280mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 1UH 600MA 280 MOHM SMD
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz40 @ 7.96MHz
Eigenresonanzfrequenz200MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz1 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812 (4532 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.134" (3.40mm)
Merkmale-

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