Beschreibung
FIXED IND 10UH 650MA 350 MOHM
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82432T1103K000.
B82432T1103K000 hat eine Induktivität von 10 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82432T1103K000 ist für 650 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82432T1103K000 hat einen DC-Widerstand von 350mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B82432T1103K000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 µH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 650 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 350mOhm Max |
| Sättigungsstrom | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
| Abmessungen | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD, J-Lead |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD, J-Lead |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 10UH 650MA 350 MOHM |
| Serie | SIMID |
| Produktstatus | Active |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 10 @ 2.52MHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 25MHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 2.52 MHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 1812 (4532 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.134" (3.40mm) |
| Merkmale | - |
