B82432T1183K000

B82432T1183K000

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82432T1183K000 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 18 µH, Nennstrom 550 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 600mOhm Max, Gehäusegröße 2-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.

Technische Daten

Induktivität
18 µH
Nennstrom
550 mA
DC-Widerstand (DCR)
600mOhm Max
Abmessungen
0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82432T1183K000.

Induktivität
18 µH

B82432T1183K000 hat eine Induktivität von 18 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
550 mA

B82432T1183K000 ist für 550 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
600mOhm Max

B82432T1183K000 hat einen DC-Widerstand von 600mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

B82432T1183K000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Alternative Lösungen

Vergleichen Sie mögliche Alternativen mit ähnlichen Spezifikationen. Prüfen Sie vor der Verwendung alle elektrischen und mechanischen Anforderungen.

Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität18 µH
Toleranz±10%
Nennstrom550 mA
DC-Widerstand (DCR)600mOhm Max
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
Abmessungen0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 18UH 550MA 600 MOHM
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz10 @ 2.52MHz
Eigenresonanzfrequenz18MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz2.52 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse1812 (4532 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.134" (3.40mm)

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