Beschreibung
Dies ist die Seite mit technischen Daten und Vergleichen für das elektronische Bauteil B82442H1106K000 von TDK. Zu den verfügbaren Spezifikationen gehören Induktivität 10 mH, Nennstrom 35 mA, Gleichstromwiderstand (DCR) 120Ohm Max, Gehäusegröße 2-SMD, J-Lead. Sehen Sie das PDF-Datenblatt ein und vergleichen Sie mögliche Cross-Reference-Modelle mit ähnlichen Spezifikationen.
Technische Daten
Parameter-Leitfaden
Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82442H1106K000.
B82442H1106K000 hat eine Induktivität von 10 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.
B82442H1106K000 ist für 35 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.
B82442H1106K000 hat einen DC-Widerstand von 120Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.
B82442H1106K000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.
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Produkteigenschaften
| Induktivität | 10 mH |
| Toleranz | ±10% |
| Nennstrom | 35 mA |
| DC-Widerstand (DCR) | 120Ohm Max |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
| Abmessungen | 0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm) |
| Gehäuse / Größe | 2-SMD, J-Lead |
| Gehäuse / Ausführung | 2-SMD, J-Lead |
| Lieferant | TDK |
| Beschreibung | FIXED IND 10MH 35MA 120 OHM SMD |
| Serie | SIMID |
| Produktstatus | Obsolete |
| Typ / Aufbau | Drum Core, Wirewound |
| Kernmaterial | Ferrite |
| Abschirmung | Unshielded |
| Q bei Frequenz | 30 @ 79.6kHz |
| Eigenresonanzfrequenz | 500kHz |
| Zulassungen / Bewertungen | AEC-Q200 |
| Induktivitäts-Testfrequenz | 79.6 kHz |
| Montageart | Surface Mount |
| Hersteller-Gehäuse | 2220 (5650 Metric) |
| Höhe - sitzend (max.) | 0.209" (5.30mm) |
