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CTIHSM5832F-103K

CTIHSM5832F-103K

Central Technologies

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 10MH 50MA 38.1 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 mH
Nennstrom
50 mA
DC-Widerstand (DCR)
38.1Ohm Max
Abmessungen
0.638 L x 0.320 W (16.20mm x 8.13mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für CTIHSM5832F-103K.

Induktivität
10 mH

CTIHSM5832F-103K hat eine Induktivität von 10 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
50 mA

CTIHSM5832F-103K ist für 50 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
38.1Ohm Max

CTIHSM5832F-103K hat einen DC-Widerstand von 38.1Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

CTIHSM5832F-103K verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 5.7.2026
Induktivität10 mH
Toleranz±10%
Nennstrom50 mA
DC-Widerstand (DCR)38.1Ohm Max
Sättigungsstrom60mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 125°C
Abmessungen0.638 L x 0.320 W (16.20mm x 8.13mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantCentral Technologies
BeschreibungFIXED IND 10MH 50MA 38.1 OHM SMD
SerieCTIHSM5832F
ProduktstatusActive
Typ / AufbauMolded
Kernmaterial-
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz-
Eigenresonanzfrequenz-
Zulassungen / Bewertungen-
Induktivitäts-Testfrequenz1 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-GehäuseSMD
Höhe - sitzend (max.)0.285 (7.24mm)
Merkmale-

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