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B82442T1106J000

B82442T1106J000

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 10MH 46MA 112 OHM SMD

Technische Daten

Induktivität
10 mH
Nennstrom
46 mA
DC-Widerstand (DCR)
112Ohm Max
Abmessungen
0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82442T1106J000.

Induktivität
10 mH

B82442T1106J000 hat eine Induktivität von 10 mH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
46 mA

B82442T1106J000 ist für 46 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
112Ohm Max

B82442T1106J000 hat einen DC-Widerstand von 112Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

B82442T1106J000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität10 mH
Toleranz±5%
Nennstrom46 mA
DC-Widerstand (DCR)112Ohm Max
Sättigungsstrom110mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
Abmessungen0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 10MH 46MA 112 OHM SMD
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz25 @ 79.6kHz
Eigenresonanzfrequenz500kHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz79.6 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.209" (5.30mm)
Merkmale-

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