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B82442T1224K000

B82442T1224K000

TDK

2-SMD, J-Lead
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Beschreibung

FIXED IND 220UH 330MA 2.21 OHM

Technische Daten

Induktivität
220 µH
Nennstrom
330 mA
DC-Widerstand (DCR)
2.21Ohm Max
Abmessungen
0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82442T1224K000.

Induktivität
220 µH

B82442T1224K000 hat eine Induktivität von 220 µH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
330 mA

B82442T1224K000 ist für 330 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
2.21Ohm Max

B82442T1224K000 hat einen DC-Widerstand von 2.21Ohm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
2-SMD, J-Lead

B82442T1224K000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 2-SMD, J-Lead. Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität220 µH
Toleranz±10%
Nennstrom330 mA
DC-Widerstand (DCR)2.21Ohm Max
Sättigungsstrom640mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
Abmessungen0.220" L x 0.197" W (5.60mm x 5.00mm)
Gehäuse / Größe2-SMD, J-Lead
Gehäuse / Ausführung2-SMD, J-Lead
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 220UH 330MA 2.21 OHM
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialFerrite
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz20 @ 796kHz
Eigenresonanzfrequenz3.9MHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz796 kHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse-
Höhe - sitzend (max.)0.209" (5.30mm)
Merkmale-

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