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B82496C3479J000

B82496C3479J000

TDK

0603 (1608 Metric)
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Beschreibung

FIXED IND 4.7NH 800MA 100 MOHM

Technische Daten

Induktivität
4.7 nH
Nennstrom
800 mA
DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max
Abmessungen
0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)

Parameter-Leitfaden

Verstehen Sie die wichtigsten elektrischen und mechanischen Spezifikationen für B82496C3479J000.

Induktivität
4.7 nH

B82496C3479J000 hat eine Induktivität von 4.7 nH. Dieser Wert zeigt, wie viel magnetische Energie das Bauteil speichern kann, und ist einer der ersten Parameter beim Vergleich von Induktivitäten.

Nennstrom
800 mA

B82496C3479J000 ist für 800 mA ausgelegt. Der Nennstrom hilft zu beurteilen, ob das Bauteil den erwarteten DC- oder RMS-Strom ohne übermäßige Erwärmung oder Sättigungsrisiko führen kann.

DC-Widerstand (DCR)
100mOhm Max

B82496C3479J000 hat einen DC-Widerstand von 100mOhm Max. Ein niedrigerer DCR reduziert meist Leitungsverluste und verbessert die Effizienz in Leistungsschaltungen.

Gehäuse / Ausführung
0603 (1608 Metric)

B82496C3479J000 verwendet ein Gehäuse oder eine Bauform von 0603 (1608 Metric). Die Bauform beeinflusst PCB-Footprint, Bauhöhe, thermisches Verhalten und die Kompatibilität mit automatischer Bestückung.

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Produkteigenschaften

Datenblatteintrag
QuelldokumentZuletzt aktualisiert: 18.6.2026
Induktivität4.7 nH
Toleranz±5%
Nennstrom800 mA
DC-Widerstand (DCR)100mOhm Max
Sättigungsstrom-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C
Abmessungen0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm)
Gehäuse / Größe0603 (1608 Metric)
Gehäuse / Ausführung0603 (1608 Metric)
LieferantTDK
BeschreibungFIXED IND 4.7NH 800MA 100 MOHM
SerieSIMID
ProduktstatusActive
Typ / AufbauDrum Core, Wirewound
KernmaterialCeramic
AbschirmungUnshielded
Q bei Frequenz14 @ 100MHz
Eigenresonanzfrequenz7GHz
Zulassungen / BewertungenAEC-Q200
Induktivitäts-Testfrequenz100 MHz
MontageartSurface Mount
Hersteller-Gehäuse0603 (1608 Metric)
Höhe - sitzend (max.)0.035" (0.90mm)
Merkmale-

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